R
X
G
страница:

J337


силиконовый P-MOSFET транзистор
GFX
UDS -12V
IDS -8A
UGS -
RDS(ON) <90mΩ
Ptot 30W
TON/TOFF 65/365nS
J337 - силиконовый P-MOSFET транзистор, Uds = 12V, Ids = 8A, применение: Логический уровень
Рисунок: -
источник: 2SJ337
подробная информация J337
OEM:Tokyo Sanyo... [еще]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:-
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

J337


силиконовый P-MOSFET транзистор
GFX
UDS -12V
IDS -8A
UGS -
RDS(ON) <90mΩ
Ptot 30W
TON/TOFF 65/365nS
J337 - силиконовый P-MOSFET транзистор, Uds = 12V, Ids = 8A, применение: Логический уровень
Рисунок: -
источник: 2SJ337
подробная информация J337
OEM:Tokyo Sanyo... [еще]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:-
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

J337


силиконовый P-MOSFET транзистор
GFX
UDS -12V
IDS -8A
UGS -
RDS(ON) <90mΩ
Ptot 30W
TON/TOFF 65/365nS
J337 - силиконовый P-MOSFET транзистор, Uds = 12V, Ids = 8A, применение: Логический уровень
Рисунок: -
источник: 2SJ337
подробная информация J337
OEM:Tokyo Sanyo... [еще]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:-
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск