Lookbooks
R
X
G
страница:

MTY100N10E


силиконовый N-MOSFET транзистор
GFX
UDS 100V
IDS DC/AC 100A / 300A
UGS ±20V
RDS(ON) <11mΩ/50A
Ptot 300W
TON/TOFF 1.076/1.14µS
MTY100N10E - силиконовый N-MOSFET транзистор, Uds = 100V, Ids = 100A, применение: Полевой транзистор с вертикальной геометрией
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация MTY100N10E
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус:TOP-3L
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

MTY100N10E


силиконовый N-MOSFET транзистор
GFX
UDS 100V
IDS DC/AC 100A / 300A
UGS ±20V
RDS(ON) <11mΩ/50A
Ptot 300W
TON/TOFF 1.076/1.14µS
MTY100N10E - силиконовый N-MOSFET транзистор, Uds = 100V, Ids = 100A, применение: Полевой транзистор с вертикальной геометрией
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация MTY100N10E
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус:TOP-3L
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

MTY100N10E


силиконовый N-MOSFET транзистор
GFX
UDS 100V
IDS DC/AC 100A / 300A
UGS ±20V
RDS(ON) <11mΩ/50A
Ptot 300W
TON/TOFF 1.076/1.14µS
MTY100N10E - силиконовый N-MOSFET транзистор, Uds = 100V, Ids = 100A, применение: Полевой транзистор с вертикальной геометрией
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
подробная информация MTY100N10E
OEM:Motorola Sem... [еще]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Корпус:TOP-3L
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск