| GT8J102
силиконовый N-IGBT транзистор | | | UCE | 600V | | | UGE | 20V | | IC | 8A | | Ptot | 50W | | TON/TOFF | 400/500nS | | TJ | 150°C | | Рисунок: | - | | источник: | Toshiba IGBT Databook 199...... [еще] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | | подробная информация GT8J102 | | OEM: | Toshiba Toky... [еще] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | Корпус: | 2-10S2C | | Лист технических данных (jpg): | открыть | | Лист технических данных (pdf): | открыть | | OEM Лист технических данных: | - | Комплементарная пара:
| - | Список аналогов:
| - | | искать аналог: | - | | | поиск по детали: | поиск |
|
