Sprachauswahl / Language selection
 
R
X
G
страница:


MGW12N120D


силиконовый N-IGBT транзистор
UCE 1.2kV
UGE 20V
IC 20A
TON/TOFF 157/307nS
Ptot 123W
TJ -
the MGW12N120D is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose power applications-integrated diode
Рисунок: -
источник:
Jaeger electronic catalog... [еще]
подробная информация MGW12N120D
OEM:
Motorola Sem... [еще]
Корпус: TO-247
MGW12N120D Info: -
MGW12N120D Лист технических данных (pdf): -
- -
Комплементарная пара:
-
Список аналогов: BUP313D
искать аналог: -
поиск по детали: поиск

MGW12N120D


силиконовый N-IGBT транзистор
UCE 1.2kV
UGE 20V
IC 20A
TON/TOFF 157/307nS
Ptot 123W
TJ -
the MGW12N120D is a silicon IGBT transistor preferred for use in general purpose power applications-integrated diode
Рисунок: -
источник:
Jaeger electronic catalog... [еще]
подробная информация MGW12N120D
OEM:
Motorola Sem... [еще]
Корпус: TO-247
MGW12N120D Info: -
MGW12N120D Лист технических данных (pdf): -
- -
Комплементарная пара:
-
Список аналогов: BUP313D
искать аналог: -
поиск по детали: поиск
agb