R
X
G
страница:

B679


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
TJ -
B679 - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 100V, Ic = 1.5A, применение: Дополнительная информация отсутствует
Рисунок: -
источник: 2SB679
подробная информация B679
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SD689
Список аналогов:BDW54C, [еще]
BDW54C,2SB751B
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B679


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
TJ -
B679 - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 100V, Ic = 1.5A, применение: Дополнительная информация отсутствует
Рисунок: -
источник: 2SB679
подробная информация B679
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SD689
Список аналогов:BDW54C, [еще]
BDW54C,2SB751B
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

B679


силиконовый PNP darlington транзистор
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1.5A
hFE >2000
Ptot 10W
TON/TOFF 0.3/2.7µS
TJ -
B679 - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 100V, Ic = 1.5A, применение: Дополнительная информация отсутствует
Рисунок: -
источник: 2SB679
подробная информация B679
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SD689
Список аналогов:BDW54C, [еще]
BDW54C,2SB751B
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск
прим.:Аналог не всегда подходит для замены, пожалуйста, внимательно ознакомьтесь с инструкцией

BDW54C


силиконовый PNP darlington транзистор
аналогичный B679 см. прим.
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE >750
Ptot 40W
fT >1MHz
TJ -
BDW54C - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 100V, Ic = 4A, применение: Интегрированный диод, Мощный транзистор, Звуковые частоты
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
Аналоги: BDW54C
OEM:Texas Instru... [еще]
Texas Instruments
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:BDW24C, [еще]
BDW24C,BDW64C
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

BDW54C


силиконовый PNP darlington транзистор
аналогичный B679 см. прим.
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE >750
Ptot 40W
fT >1MHz
TJ -
BDW54C - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 100V, Ic = 4A, применение: Интегрированный диод, Мощный транзистор, Звуковые частоты
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
Аналоги: BDW54C
OEM:Texas Instru... [еще]
Texas Instruments
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:BDW24C, [еще]
BDW24C,BDW64C
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

BDW54C


силиконовый PNP darlington транзистор
аналогичный B679 см. прим.
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE >750
Ptot 40W
fT >1MHz
TJ -
BDW54C - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 100V, Ic = 4A, применение: Интегрированный диод, Мощный транзистор, Звуковые частоты
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
Аналоги: BDW54C
OEM:Texas Instru... [еще]
Texas Instruments
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:BDW24C, [еще]
BDW24C,BDW64C
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск
прим.:Аналог не всегда подходит для замены, пожалуйста, внимательно ознакомьтесь с инструкцией

2SB751B


силиконовый PNP darlington транзистор
аналогичный B679 см. прим.
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.2/2µS
TJ -
2SB751B - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 100V, Ic = 4A, применение: Интегрированный диод, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
Аналоги: 2SB751B
OEM:Matsushita D... [еще]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:BD650, [еще]
BD650,BD902,BDW24C,BDW64C
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

2SB751B


силиконовый PNP darlington транзистор
аналогичный B679 см. прим.
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.2/2µS
TJ -
2SB751B - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 100V, Ic = 4A, применение: Интегрированный диод, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
Аналоги: 2SB751B
OEM:Matsushita D... [еще]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:BD650, [еще]
BD650,BD902,BDW24C,BDW64C
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

2SB751B


силиконовый PNP darlington транзистор
аналогичный B679 см. прим.
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.2/2µS
TJ -
2SB751B - силиконовый PNP darlington транзистор, Uce = 100V, Ic = 4A, применение: Интегрированный диод, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: Jaeger electronic catalog...... [еще]
Jaeger electronic catalog 1999
Аналоги: 2SB751B
OEM:Matsushita D... [еще]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Корпус: TO-220
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:BD650, [еще]
BD650,BD902,BDW24C,BDW64C
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск
прим.:Аналог не всегда подходит для замены, пожалуйста, внимательно ознакомьтесь с инструкцией