R
X
G
страница:
navigation

T5551


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 160/180V
IC 0.6A
hFE 30-250
Ptot 625mW
fT 100-300MHz
TJ 150°C
T5551 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 160V, Ic = 600mA, применение: Усилитель
Рисунок: -
источник: KST5551
подробная информация T5551
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

T5551


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 160/180V
IC 0.6A
hFE 30-250
Ptot 625mW
fT 100-300MHz
TJ 150°C
T5551 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 160V, Ic = 600mA, применение: Усилитель
Рисунок: -
источник: KST5551
подробная информация T5551
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

T5551


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 160/180V
IC 0.6A
hFE 30-250
Ptot 625mW
fT 100-300MHz
TJ 150°C
T5551 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 160V, Ic = 600mA, применение: Усилитель
Рисунок: -
источник: KST5551
подробная информация T5551
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск