| J612
силиконовый P-MOSFET транзистор | | | UDS | -100V | | | IDS | ±-2A | | UGS | - | | RDS(ON) | <0.45Ω | | Ptot | 20W | | TON/TOFF | 30/100nS | | Рисунок: | - | | источник: | 2SJ612 | | | подробная информация J612 | | OEM: | Nippon Elect... [еще] Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan | | Корпус: | - | | Лист технических данных (jpg): | - | | Лист технических данных (pdf): | - | | OEM Лист технических данных: | - | Комплементарная пара:
| - | Список аналогов:
| - | | искать аналог: | искать аналог | | | поиск по детали: | поиск |
|
