Lookbooks
R
X
G
страница:

K135


силиконовый N-MOSFET транзистор
GFX
UDS 160V
IDS 7A
UGS ±14V
RDS(ON) -
Ptot 100W
TON/TOFF 180/60nS
K135 - силиконовый N-MOSFET транзистор, Uds = 160V, Ids = 7A, применение: Каскады для усилителей звуковых частот, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SK135
подробная информация K135
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SJ50
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

K135


силиконовый N-MOSFET транзистор
GFX
UDS 160V
IDS 7A
UGS ±14V
RDS(ON) -
Ptot 100W
TON/TOFF 180/60nS
K135 - силиконовый N-MOSFET транзистор, Uds = 160V, Ids = 7A, применение: Каскады для усилителей звуковых частот, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SK135
подробная информация K135
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SJ50
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

K135


силиконовый N-MOSFET транзистор
GFX
UDS 160V
IDS 7A
UGS ±14V
RDS(ON) -
Ptot 100W
TON/TOFF 180/60nS
K135 - силиконовый N-MOSFET транзистор, Uds = 160V, Ids = 7A, применение: Каскады для усилителей звуковых частот, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SK135
подробная информация K135
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SJ50
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск