Lookbooks
R
X
G
страница:

K175


силиконовый N-MOSFET транзистор
GFX
UDS 180V
IDS 8A
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 125W
TON/TOFF 250/90nS
K175 - силиконовый N-MOSFET транзистор, Uds = 180V, Ids = 8A, применение: Каскады для усилителей звуковых частот, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SK175
подробная информация K175
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SJ55
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

K175


силиконовый N-MOSFET транзистор
GFX
UDS 180V
IDS 8A
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 125W
TON/TOFF 250/90nS
K175 - силиконовый N-MOSFET транзистор, Uds = 180V, Ids = 8A, применение: Каскады для усилителей звуковых частот, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SK175
подробная информация K175
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SJ55
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

K175


силиконовый N-MOSFET транзистор
GFX
UDS 180V
IDS 8A
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 125W
TON/TOFF 250/90nS
K175 - силиконовый N-MOSFET транзистор, Uds = 180V, Ids = 8A, применение: Каскады для усилителей звуковых частот, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SK175
подробная информация K175
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SJ55
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск