Lookbooks
R
X
G
страница:
navigation

PTE10011


силиконовый N-MOSFET транзистор
GFX
UDS 65V
IDS -
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 28W
fT -
PTE10011 - силиконовый N-MOSFET транзистор, Uds = 65V, применение: Усилители сильных сигналов до 1,5 ГГц
marking code: E10011
Рисунок: -
источник: Ericsson RF power transis...... [еще]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
подробная информация PTE10011
OEM:Ericsson Com... [еще]
Ericsson Components AB
Корпус: 9
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

PTE10011


силиконовый N-MOSFET транзистор
GFX
UDS 65V
IDS -
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 28W
fT -
PTE10011 - силиконовый N-MOSFET транзистор, Uds = 65V, применение: Усилители сильных сигналов до 1,5 ГГц
marking code: E10011
Рисунок: -
источник: Ericsson RF power transis...... [еще]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
подробная информация PTE10011
OEM:Ericsson Com... [еще]
Ericsson Components AB
Корпус: 9
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

PTE10011


силиконовый N-MOSFET транзистор
GFX
UDS 65V
IDS -
UGS ±20V
RDS(ON) -
Ptot 28W
fT -
PTE10011 - силиконовый N-MOSFET транзистор, Uds = 65V, применение: Усилители сильных сигналов до 1,5 ГГц
marking code: E10011
Рисунок: -
источник: Ericsson RF power transis...... [еще]
Ericsson RF power transistors 1999 Data Book
подробная информация PTE10011
OEM:Ericsson Com... [еще]
Ericsson Components AB
Корпус: 9
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск