R
X
G
страница:

T3906


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.2A
hFE 30-300
Ptot 350mW
fT >250MHz
TJ 150°C
T3906 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 40V, Ic = 200mA, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: KST3906
подробная информация T3906
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

T3906


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.2A
hFE 30-300
Ptot 350mW
fT >250MHz
TJ 150°C
T3906 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 40V, Ic = 200mA, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: KST3906
подробная информация T3906
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

T3906


силиконовый PNP транзистор
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.2A
hFE 30-300
Ptot 350mW
fT >250MHz
TJ 150°C
T3906 - силиконовый PNP транзистор, Uce = 40V, Ic = 200mA, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: KST3906
подробная информация T3906
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск