R
X
G
страница:

T4123


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 30/40V
IC 0.2A
hFE 25-150
Ptot 350mW
fT >250MHz
TJ 150°C
T4123 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 30V, Ic = 200mA, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: KST4123
подробная информация T4123
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

T4123


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 30/40V
IC 0.2A
hFE 25-150
Ptot 350mW
fT >250MHz
TJ 150°C
T4123 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 30V, Ic = 200mA, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: KST4123
подробная информация T4123
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

T4123


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 30/40V
IC 0.2A
hFE 25-150
Ptot 350mW
fT >250MHz
TJ 150°C
T4123 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 30V, Ic = 200mA, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: KST4123
подробная информация T4123
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: SOT-23
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск