| GT60M105
силиконовый N-IGBT транзистор | | | UCE | 900V | | | UGE | ±25V | | IC DC/AC | 60/120A | | Ptot | 200W | | TON/TOFF | 350/800nS | | TJ | 150°C | | Рисунок: | - | | источник: | Toshiba Databook Power MO...... [еще] Toshiba Databook Power MOSFETs 1996 | | | подробная информация GT60M105 | | OEM: | Toshiba Toky... [еще] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | Корпус: | 2-21F2C | | Лист технических данных (jpg): | открыть | | Лист технических данных (pdf): | открыть | | OEM Лист технических данных: | - | Комплементарная пара:
| - | | Список аналогов: ↓ | GN9060E | | искать аналог: | - | | | поиск по детали: | поиск |
|
