GT60M105 силиконовый N-IGBT транзистор | | UCE | 900V | | UGE | ±25V | IC DC/AC | 60/120A | Ptot | 200W | TON/TOFF | 350/800nS | TJ | 150°C | Рисунок: | - | источник: | Toshiba Databook Power MO...... [еще] Toshiba Databook Power MOSFETs 1996 | | подробная информация GT60M105 | OEM: | Toshiba Toky... [еще] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Корпус: | 2-21F2C | Лист технических данных (jpg): | открыть | Лист технических данных (pdf): | открыть | OEM Лист технических данных: | - | Комплементарная пара:
| - | Список аналогов: ↓ | GN9060E | искать аналог: | - | | поиск по детали: | поиск |
|