Lookbooks
R
X
G
страница:
navigation

J50


силиконовый P-MOSFET транзистор
GFX
UDS -160V
IDS -7A
UGS ±14V
RDS(ON) -
Ptot 100W
TON/TOFF 230/110nS
J50 - силиконовый P-MOSFET транзистор, Uds = 160V, Ids = 7A, применение: Каскады для усилителей звуковых частот, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SJ50
подробная информация J50
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SK135
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

J50


силиконовый P-MOSFET транзистор
GFX
UDS -160V
IDS -7A
UGS ±14V
RDS(ON) -
Ptot 100W
TON/TOFF 230/110nS
J50 - силиконовый P-MOSFET транзистор, Uds = 160V, Ids = 7A, применение: Каскады для усилителей звуковых частот, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SJ50
подробная информация J50
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SK135
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

J50


силиконовый P-MOSFET транзистор
GFX
UDS -160V
IDS -7A
UGS ±14V
RDS(ON) -
Ptot 100W
TON/TOFF 230/110nS
J50 - силиконовый P-MOSFET транзистор, Uds = 160V, Ids = 7A, применение: Каскады для усилителей звуковых частот, Мощный транзистор
Рисунок: -
источник: 2SJ50
подробная информация J50
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:2SK135
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск