Lookbooks
R
X
G
страница:
navigation

J56H


силиконовый P-MOSFET транзистор
GFX
UDS -200V
IDS -8A
UGS ±20V
RDS(ON)
Ptot 125W
TON/TOFF 60/200nS
J56H - силиконовый P-MOSFET транзистор, Uds = 200V, Ids = 8A, применение: Мощный ВЧ усилитель, Силовой переключатель, Скоростной переключающий транзистор
Рисунок: -
источник: 2SJ56H
подробная информация J56H
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

J56H


силиконовый P-MOSFET транзистор
GFX
UDS -200V
IDS -8A
UGS ±20V
RDS(ON)
Ptot 125W
TON/TOFF 60/200nS
J56H - силиконовый P-MOSFET транзистор, Uds = 200V, Ids = 8A, применение: Мощный ВЧ усилитель, Силовой переключатель, Скоростной переключающий транзистор
Рисунок: -
источник: 2SJ56H
подробная информация J56H
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

J56H


силиконовый P-MOSFET транзистор
GFX
UDS -200V
IDS -8A
UGS ±20V
RDS(ON)
Ptot 125W
TON/TOFF 60/200nS
J56H - силиконовый P-MOSFET транзистор, Uds = 200V, Ids = 8A, применение: Мощный ВЧ усилитель, Силовой переключатель, Скоростной переключающий транзистор
Рисунок: -
источник: 2SJ56H
подробная информация J56H
OEM:Hitachi Ltd.... [еще]
Hitachi Ltd. Japan
Корпус: TO-3
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск