Lookbooks
R
X
G
страница:

P13


силиконовый NPN darlington транзистор
GFX
UCE/UCB 30/30V
IC 0.5A
hFE 5-10k
Ptot 625mW
fT >125MHz
TJ 150°C
P13 - силиконовый NPN darlington транзистор, Uce = 30V, Ic = 500mA, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: KSP13
подробная информация P13
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

P13


силиконовый NPN darlington транзистор
GFX
UCE/UCB 30/30V
IC 0.5A
hFE 5-10k
Ptot 625mW
fT >125MHz
TJ 150°C
P13 - силиконовый NPN darlington транзистор, Uce = 30V, Ic = 500mA, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: KSP13
подробная информация P13
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

P13


силиконовый NPN darlington транзистор
GFX
UCE/UCB 30/30V
IC 0.5A
hFE 5-10k
Ptot 625mW
fT >125MHz
TJ 150°C
P13 - силиконовый NPN darlington транзистор, Uce = 30V, Ic = 500mA, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: KSP13
подробная информация P13
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск