Lookbooks
R
X
G
страница:

P12


силиконовый NPN darlington транзистор
GFX
UCE/UCB 10/20V
IC -
hFE >20000
Ptot 625mW
fT -
TJ 150°C
P12 - силиконовый NPN darlington транзистор, Uce = 10V, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: KSP12
подробная информация P12
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

P12


силиконовый NPN darlington транзистор
GFX
UCE/UCB 10/20V
IC -
hFE >20000
Ptot 625mW
fT -
TJ 150°C
P12 - силиконовый NPN darlington транзистор, Uce = 10V, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: KSP12
подробная информация P12
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

P12


силиконовый NPN darlington транзистор
GFX
UCE/UCB 10/20V
IC -
hFE >20000
Ptot 625mW
fT -
TJ 150°C
P12 - силиконовый NPN darlington транзистор, Uce = 10V, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: KSP12
подробная информация P12
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск