R
X
G
страница:

P06


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 80/80V
IC 0.5A
hFE >50
Ptot 625mW
fT 100MHz
TJ 150°C
P06 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 80V, Ic = 500mA, применение: Усилитель
Рисунок: -
источник: KSP06
подробная информация P06
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

P06


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 80/80V
IC 0.5A
hFE >50
Ptot 625mW
fT 100MHz
TJ 150°C
P06 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 80V, Ic = 500mA, применение: Усилитель
Рисунок: -
источник: KSP06
подробная информация P06
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

P06


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 80/80V
IC 0.5A
hFE >50
Ptot 625mW
fT 100MHz
TJ 150°C
P06 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 80V, Ic = 500mA, применение: Усилитель
Рисунок: -
источник: KSP06
подробная информация P06
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск