Lookbooks
R
X
G
страница:

P10


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 25/30V
IC -
hFE >60
Ptot 350mW
fT 650MHz
TJ 150°C
P10 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 25V, применение: УВЧ диапазон, ОВЧ диапазон
Рисунок: -
источник: KSP10
подробная информация P10
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

P10


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 25/30V
IC -
hFE >60
Ptot 350mW
fT 650MHz
TJ 150°C
P10 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 25V, применение: УВЧ диапазон, ОВЧ диапазон
Рисунок: -
источник: KSP10
подробная информация P10
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск

P10


силиконовый NPN транзистор
GFX
UCE/UCB 25/30V
IC -
hFE >60
Ptot 350mW
fT 650MHz
TJ 150°C
P10 - силиконовый NPN транзистор, Uce = 25V, применение: УВЧ диапазон, ОВЧ диапазон
Рисунок: -
источник: KSP10
подробная информация P10
OEM:Samsung Elec... [еще]
Samsung Electronics CO. LTD.
Корпус: TO-92
Лист технических данных (jpg):-
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:
-
Список аналогов:
-
искать аналог:искать аналог
поиск по детали:поиск